Bộ nhớ mới được thiết kế với một hợp chất bán dẫn mang tên GST (gồm Germanium, Antimony và Tellurium) chiết xuất từ các chất đang dùng trong đĩa quang, giúp dữ liệu được đọc bằng tia laser. Các hợp chất này có thể thay đổi rất nhanh chóng theo những pha có trật tự và mô hình xác định hoặc pha bất quy tắc. Nhờ đó, dữ liệu được truy cập ở cấp độ bit, khiến cho tốc độ xử lý của chip nhớ này rất nhanh. Ngoài ra, do việc duy trì các pha không cần đến điện năng nên bộ nhớ kiểu "đổi pha" tỏ ra ổn định và tiết kiệm năng lượng. Chip mô hình mà họ đưa ra có kích thước nhỏ, chỉ 3 x 20 nanometre.

Còn công nghệ flash hiện nay với 2 dòng NOR và NAND đang tỏ ra mất ưu thế vì dữ liệu không thể truy cập một bit/lần mà phải theo kích thước lớn hơn. Hơn nữa, bộ nhớ của chip flash có thể hỏng sau 100.000 lần ghi đè.

Nhóm đồng minh với IBM không phải những đơn vị duy nhất tìm kiếm công nghệ thay thế bộ nhớ flash. Samsung cũng tuyên bố tìm ra kỹ thuật mới. Intel và STMicroelectronics cũng hợp lực để theo đuổi công nghệ này. Tuy nhiên, các hãng đang gặp phải rào cản là chi phí sản xuất chip "đổi pha" khá cao.

Theo Vnexpress